12.02.2001

12-02-2001 Infineon: Low-Power RAM

Infineon kündigte nun neue Low-Power-DRAMs an. Diese sind aufgrund ihrer niedrigen Leistungsaufnahme für Mobile Geräte gedacht.

Sie benötigten eine Betriebsspannung von 2,5V anstatt der typischen 3,3 Volt. Dies soll laut Infineon durch ein eigenes Power-Management, welches die Temperatur-Kompensation der Self-Refresh-Rate sowie das optionale Ausblenden von Bereichen der Memory-Arrays beim Refresh steuert, erzielt werden. Somit sollen die I/O-Treiber auch nur 1,8 Volt benötigen. Das "Mobile RAM" wurde in ein BGA (Ball-Grid-Array)-Gehäuse gepackt welches nur 8x9 mm misst. Dies ist im Vergleich dreimal kleiner als die Standard-TSOP-Gehäuse. Geplant sind 128-Mbit Mobile-RAMs in der Organisation 8M x 16. Zu erwarten sind die ersten Muster der neuen Mobile-RAMs im zweiten Quartal 2001.

wan

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