Aktuell 06.01.2016
Um die Kurzschlussgefahr bei immer kleiner werdenden Flash-Speichern zu verringern, halten Forscher der Chinese Academy of Sciences nach graphenbasierten 'Charge Trapping'-Bauteilen Ausschau. Sie gelten als Alternative zu herkömmlichen Floating-Gate-Flash-Speichern.
'Um die Datenspeicherung zu verbessern, ist es notwendiger, den Fußabdruck eines einzelnen Netzpunktes zu verringern, als eine hohe Dichte der Datenspeicherung zu gewährleisten', erklärt der Pekinger Forscher Jianling Meng. Der größte Vorteil von kleinen Flash-Speichern in Handys und Computern sei die höhere Speicherkapazität. Noch dazu können kleinere Flash-Speichersysteme die Datenübertragungsgeschwindigkeit von Programmen erhöhen.
In der neuen Technologie werden Elektronen und andere Ladeteilchen in kleinen Defekten im Graphen gelagert, die die Forscher 'Nanographen-Inseln' nennen. Je mehr es von diesen Inseln gibt, umso mehr Ladung kann gespeichert werden. Das wiederum mündet in einer höheren Speicherkapazität.
Mit einer bestimmten Technik wird dabei eine Vielzahl solcher Defekte entwickelt, die für die Lagerung der Elektronen gebraucht wird. Die immense Zahl solcher Ladezonen ermöglicht es den Forschern letztlich, ein Speichergerät zu entwickeln, welches eine sehr wettbewerbsfähige Performance aufweist. So ist den chinesischen Forschern gelungen, das größte Speicherfenster mit neun Volt - bislang jedoch nur für graphenbasierte Charge-Trapping-Memory zu entwickeln.
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