11.06.2001

11-06-2001 Intel: 20 Nanometer Gatelänge

Intel ist es vorigen Jahr im Dezember gelungen einen Transistor mit einer effektiven Gatelänge von nur 30 nm herzustellen, nun ist man bereits bei 20 Nanometer.

Dies hat Intel nun auf dem Silicon Nano Electronics Workshop in Kyoto stolz verlautbart. Damit hier nichts verwechselt wird. Zur Zeit sind die kleinsten Strukturen die in Serie gefertigt werden 0,13?m (Mikrometer) groß, also 130 Nanometer.
Zwar haben Wissenschaftler an der Berkeley University schon experimentell mittels der FinFET-Technologie, Prozessoren mit nur 18 nm Gatelänge erzeugt, doch stellen die nun mal keine Prozessoren her.
Man denkt, dass man in fünf bis zehn Jahren in der Lage ist Prozessoren mit über 400 Millionen Transistoren herstellen zu können, die mit bis 10 GHz getaktet werden und auch noch weniger als 1V benötigen. Doch ewig geht dies auch nicht, zumindest nicht mit Silizium. Schon jetzt ist die nötige Isolierschicht nur 3 Atomlagen dick, weniger geht einfach nicht mehr.

wan


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