14.08.2001

14-08-2001 Ramtron & Fujitsu: FRAM

Nicht-flüchtiger FRAM wird bald in 0,35 Mikron gefertigt.

Ferroelectric Random Access Memory oder kurz FRAM kommt überall dort zum Einsatz wo man nichtflüchtigen Speicher braucht, den man allerdings auch wiederbeschreiben kann. Zu finden sind FRAMs unter anderem in Smartcards. Nun haben Ramtron und Fujitsu an ihrem Produktionsprozessen gefeilt und nach zweijähriger Forschung ist man nun in der Lage die Produktion in 0,35 ?m aufzunehmen. Die Fertigung wird demnächst in der japanischen Fabrik von Fujitsu in Iwate beginnen. Bis jetzt wurde in einem 0,5-Mikron-Prozess gefertigt. Die Kapazitäten der Chips betragen bis zu 256 kBit.

wan


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