26.11.2001
Die neue Technologie soll bei geringerem Energieverbrauch und Hitzeentwicklung trotzdem hohe Taktfrequenzen ermöglichen. Der Halbleiterhersteller hat die Transistor-Technologie erstmals auf dem International Electron Device Meeting in Washington vorgestellt.
'Selbst wenn Transistoren nicht benutzt werden, verlieren diese Spannung wie ein undichter Schlauch Wasser. Dieser Verlust verursacht Hitzeentwicklung', meint Gerry Marcyk, Leiter der Entwicklungsteams für Tera-Hertz-Transistoren. 'Intels neues Design stopft diese Löcher und löst damit zwei große Probleme in der Erzeugung von kleineren und schnelleren Chips nämlich Energievebrauch und Hitzeentwicklung.'
Dazu werden größtenteils drei grobe Veränderungen in der Konstruktion der Tera-Hertz-Prozessoren auch 'Depleted substrate Transistoren' genannt, durchgeführt. So verwenden die Intel-Wissenschaftler ein 'High K Dialectric', das 10.000x effektiver sein soll, als das bisher verwendete Silizium-Dioxid, um den Energieverlust am 'Transistor Gate' zu verringern. Daneben verstärkte Intel die Elektroden auf dem Transistor und führte eine Isolierschicht auf dem Chip ein. Ab 2005 sollen Elemente dieser Technologie in Intels-Prozessoren zum Einsatz kommen.
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